[发明专利]垂直存储器装置在审
| 申请号： | 201910137449.5 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110581136A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 尹善昊;白石千;千志成;郑恩宅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘润蓓;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案堆叠在第一方向上，其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。 | ||
| 搜索关键词： | 金属图案 垂直存储器 多晶硅图案 栅电极结构 掺杂的 堆叠 基底 字线 金属 金属硅化物 串选择线 地选择线 垂直的 上表面 沟道 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：/n栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及/n沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，/n其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案堆叠在第一方向上，/n其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
