[发明专利]封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910137550.0 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111613596B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘瑛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 汤陈龙;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：基底，所述基底表面形成有电极，所述基底上形成有图形化的钝化层，所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口；凸块底部金属化层，位于所述窗口露出的电极上，且还覆盖所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部，所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层；导电凸块，覆盖所述凸块底部金属化层。通过将UBM层设置为多个分立的子金属化层结构，从而在导电凸块受到挤压时，使得分立的子金属化层之间的间隙共同分解压力，减小UBM层承受的压力，进而减小钝化层与UBM层的交界处的应力，避免钝化层和/或UBM层出现裂痕造成的器件损伤，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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