[发明专利]MOSFET终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910137577.X | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111613673A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 赵霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET终端结构及其制备方法，MOSFET终端结构包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；第一源极多晶硅层；第一介质层；第二源极多晶硅层；第二介质层，第二介质层的厚度小于第一介质层的厚度；栅极多晶硅层；栅氧化层；绝缘隔离层；第二导电类型的第一体区；第一导电类型的源区。本发明的MOSFET终端结构可以使得终端区的击穿电压高于有源区的击穿电压，从而有效保护MOSFET终端结构，提高MOSFET终端结构的性能；本发明的MOSFET终端结构中有源区内第二沟槽的侧壁及底部的第二介质层的厚度可以比较薄，可以提高有源区的漂移层的浓度，从而优化MOSFET终端结构的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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