[发明专利]真空转移装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201910138471.1 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111613562B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴炳昇;翁俊仁;吴昭文 | 申请（专利权）人： | 启端光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种真空转移装置及其形成方法，该装置包含半导体基板，其具有第一孔，位于半导体基板的顶部；吸嘴，位于半导体基板的底部并延伸向下；及第二孔，贯通吸嘴并位于半导体基板内以连通第一孔。通过该装置能够有效地提升真空转移的工作效率，并且能够降低加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 转移 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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