[发明专利]一种过电压摆幅静电放电防护器件及电路有效

专利信息
申请号: 201910141255.2 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN109841615B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 江哲维 申请(专利权)人: 合肥奕斯伟集成电路有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李婷婷;王宝筠
地址: 230001 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请提供一种过电压摆幅静电放电防护器件及电路,本发明提供的过电压摆幅静电放电防护器件,在现有技术双向性硅控整流器结构基础上,还包括至少一个触发点,所述触发点接收触发电路的触发电流,从而为双向性硅控整流器的PN结导通时提供电压,使得双向性硅控整流器在达到触发电压之前提前触发,进而降低了双向性硅控整流器的触发电压。所述过电压摆幅静电放电防护器件,从而可针对输入/输出端点提供一双向性且低触发电压的静电放电路径,搭配VDD到VSS间的ESD钳制电路可取代传统静电放电防护架构并同时具有低ESD触发电压,可使用于过电压摆幅输入输出讯号应用。
搜索关键词: 一种 过电压 静电 放电 防护 器件 电路
【主权项】:
1.一种过电压摆幅静电放电防护器件,其特征在于,形成在晶圆上,所述过电压摆幅静电放电防护器件包括:位于所述晶圆上,且具有与所述晶圆隔离的深掺杂衬底;位于所述深掺杂衬底上的多个掺杂区,所述多个掺杂区包括:第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同,所述第三掺杂区与所述深掺杂衬底的掺杂类型相同,且与所述第一掺杂区的掺杂类型相反;所述第三掺杂区围绕所述第一掺杂区和所述第二掺杂区,且位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间,将所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分离;位于所述第一掺杂区的第一P+区和第一N+区;位于所述第二掺杂区的第二P+区和第二N+区;以及至少一个触发点,所述触发点接收触发电路的触发电流,为所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通提供叠加电压,以降低所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通电压;或者,为所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通提供叠加电压,以降低第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的导通电压。
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