[发明专利]一种双埋层MOS栅控晶闸管及制备方法有效
| 申请号： | 201910142423.X | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109887844B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 胡飞;宋李梅;韩郑生;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/749;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双埋层MOS栅控晶闸管及制备方法，所述双埋层MOS栅控晶闸管包括：衬底和漂移区；从下至上依次在漂移区中设置有双N埋层、表面结构；设置在表面结构上端面的阴极和栅极、以及衬底下端面的阳极。本发明能够提升器件开启速度、抑制基区电阻控制晶闸管(BRT)和发射极开关晶闸管(EST)开启过程中的snapback现象，解决多元胞开启不一致问题，缓解电流分布不均匀，提高器件开启可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双埋层 mos 晶闸管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双埋层MOS栅控晶闸管，其特征在于，包括：衬底和漂移区；从下至上依次在漂移区中设置有双N埋层、表面结构；设置在表面结构上端面的阴极和栅极、以及衬底下端面的阳极。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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