[发明专利]一种非原位制备HoB2

摘要

本发明属于高性能陶瓷涂层技术领域，公开了一种非原位制备HoB2C2陶瓷涂层的方法，包括以下步骤：S1、混粉：以HoB4、Ho、C粉或HoB4、HoC2、C粉为原料粉，加入酒精为介质，通过球磨、静置干燥、过筛得到混合均匀的粉料；S2、热压烧结制备靶材：将粉料装入模具，然后冷压成型，之后放入热压炉中进行热压烧结，通入流动的Ar气，温度为700～1000℃，施加压力为30～50MPa，保温时间为0.5～2h，得到Ho‑B‑C块体；S3、制备Ho‑B‑C非晶涂层：以Ho‑B‑C块体作为靶材，采用磁控溅射或多弧离子镀沉积涂层，制备Ho‑B‑C非晶涂层；S4、热处理：对Ho‑B‑C非晶涂层热处理，在保护性气氛中于800～1200℃保温1～20h，降温之后获得以HoB2C2为主相的涂层。本发明的方法具有操作简单、工艺条件易于控制、成本低、效率高的优点。

主权项

1.一种非原位制备HoB₂C₂陶瓷涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、混粉：以HoB₄、Ho、C粉或HoB₄、HoC₂、C粉为原料粉，加入酒精为介质，通过球磨、静置干燥、过筛得到混合均匀的粉料；S2、热压烧结制备靶材：将粉料装入模具，然后冷压成型，之后放入热压炉中进行热压烧结，通入流动的Ar气，温度为700～1000℃，施加压力为30～50MPa，保温时间为0.5～2h，得到Ho‑B‑C块体；S3、制备Ho‑B‑C非晶涂层：以Ho‑B‑C块体作为靶材，采用磁控溅射或多弧离子镀沉积涂层，制备Ho‑B‑C非晶涂层；S4、热处理：对Ho‑B‑C非晶涂层热处理，在保护性气氛中于800～1200℃保温1～20h，降温之后获得以HoB₂C₂为主相的涂层。