[发明专利]包括多高度单元的集成电路和制造集成电路的方法在审
| 申请号： | 201910148266.3 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110504263A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 都桢湖;柳志秀;俞炫圭;李昇映;李在鹏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 潘军<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路，包括：布置在沿第一水平方向延伸的第一行中的第一单元，布置在与第一行相邻的第二行中的第二单元，以及连续地布置在第一行和第二行中的第三单元。第一单元和第二单元包括在第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分，第三单元包括在第一行中电连接到第一电力线并且在第一水平方向上延伸的第二电力线。 | ||
| 搜索关键词： | 电力线 水平方向延伸 延伸 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：/n在第一行中的第一单元，所述第一行在第一水平方向上延伸；/n在第二行中的第二单元，所述第二行与所述第一行相邻并且在所述第一水平方向上延伸；/n在所述第一行和所述第二行中连续延伸的第三单元；/n其中，所述第一单元和所述第二单元包括在所述第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分，/n其中，所述第三单元包括在所述第一行中电连接到所述第一电力线并在所述第一水平方向上延伸的第二电力线，并且其中，所述第二行没有所述第二电力线。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
