[发明专利]三维存储器及其制作方法在审
申请号: | 201910149876.5 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109755254A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11575;H01L27/11573;H01L27/1157 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体设计及制造领域,特别是涉及一种三维存储器及其制作方法,三维存储器包括半导体结构和堆叠结构,其中半导体结构具有外围电路;堆叠结构位于外围电路上,堆叠结构包括核心区及字线连接区,核心区具有沟道孔,沟道孔中形成有存储器膜及沟道层,字线连接区具有贯穿字线连接区的接触孔,接触孔中形成有绝缘侧壁及导电支撑柱,导电支撑柱连接外围电路。本发明可有效利用字线连接区的面积,减小外围电路引出所需占用的周边区的面积,提高了三维存储器的集成度及性能,同时,本发明可避免接触孔底部填入多晶硅而造成器件的短路或漏电,提高三维存储器的电学稳定性及良率。 | ||
搜索关键词: | 三维存储器 外围电路 连接区 字线 堆叠结构 接触孔 半导体结构 导电支撑柱 核心区 沟道 半导体设计 电学稳定性 存储器 漏电 绝缘侧壁 多晶硅 沟道层 集成度 周边区 短路 减小 良率 填入 制作 占用 贯穿 制造 | ||
【主权项】:
1.一种三维存储器,其特征在于,包括:半导体结构,所述半导体结构包括外围电路;堆叠结构,位于所述外围电路上,所述堆叠结构包括核心区及字线连接区,所述核心区具有沟道孔,所述沟道孔中形成有存储器膜及沟道层,所述字线连接区具有贯穿所述字线连接区的接触孔,所述接触孔中形成有绝缘侧壁及导电支撑柱,所述导电支撑柱连接所述外围电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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