[发明专利]三维存储器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910149876.5 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN109755254A 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 刘峻 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/11575;H01L27/11573;H01L27/1157
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及半导体设计及制造领域,特别是涉及一种三维存储器及其制作方法,三维存储器包括半导体结构和堆叠结构,其中半导体结构具有外围电路;堆叠结构位于外围电路上,堆叠结构包括核心区及字线连接区,核心区具有沟道孔,沟道孔中形成有存储器膜及沟道层,字线连接区具有贯穿字线连接区的接触孔,接触孔中形成有绝缘侧壁及导电支撑柱,导电支撑柱连接外围电路。本发明可有效利用字线连接区的面积,减小外围电路引出所需占用的周边区的面积,提高了三维存储器的集成度及性能,同时,本发明可避免接触孔底部填入多晶硅而造成器件的短路或漏电,提高三维存储器的电学稳定性及良率。
搜索关键词: 三维存储器 外围电路 连接区 字线 堆叠结构 接触孔 半导体结构 导电支撑柱 核心区 沟道 半导体设计 电学稳定性 存储器 漏电 绝缘侧壁 多晶硅 沟道层 集成度 周边区 短路 减小 良率 填入 制作 占用 贯穿 制造
【主权项】:
1.一种三维存储器,其特征在于,包括:半导体结构,所述半导体结构包括外围电路;堆叠结构,位于所述外围电路上,所述堆叠结构包括核心区及字线连接区,所述核心区具有沟道孔,所述沟道孔中形成有存储器膜及沟道层,所述字线连接区具有贯穿所述字线连接区的接触孔,所述接触孔中形成有绝缘侧壁及导电支撑柱,所述导电支撑柱连接所述外围电路。
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