[发明专利]一种清洗晶振片的方法在审
| 申请号： | 201910151737.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627795A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐义;刘晓兵 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种清洗晶振片的方法，用以避免晶振片与浓碱性试剂反应导致晶振片损坏的问题，从而提高晶振片的清洗效果。所述清洗晶振片的方法，该方法包括：提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜层；对所述待清洗晶振片进行氧化处理，使所述第一膜层被氧化成第二膜层；采用酸性溶液清除所述第二膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 晶振片 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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