[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910152061.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627860B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的缓冲停止层以及分立于所述缓冲停止层上的伪鳍部；在所述伪鳍部露出的缓冲停止层上，形成隔离结构，且隔离结构覆盖伪鳍部的侧壁；对隔离结构进行退火处理；退火处理后，去除伪鳍部，在隔离结构中形成凹槽；在凹槽中形成鳍部；回刻蚀部分厚度的隔离结构，形成隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁。本发明实施例在隔离结构覆盖伪鳍部时进行退火处理，然后去除伪鳍部形成鳍部，避免鳍部表面被氧化，且因为伪鳍部形成在缓冲停止层上，使得后续去除伪鳍部时，凹槽底部位于缓冲停止层上。本发明实施例使得鳍部具有良好的均一性，进而优化半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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