[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201910154648.7 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN110223999A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 辛榕燮;尹柱宪;孙夏英 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部;透明电极层,其布置在发光结构上;透明保护层,其布置在透明电极层上;分布式布拉格反射器层,其布置在透明保护层上,并且覆盖透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至透明电极层。 | ||
搜索关键词: | 半导体发光装置 透明电极层 发光结构 透明保护层 分布式布拉格反射器 覆盖透明电极 半导体层 电极焊盘 光发射 通过孔 制造 外部 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至所述发光结构外部;透明电极层,其布置在所述发光结构上;透明保护层,其布置在所述透明电极层上;分布式布拉格反射器层,其布置在所述透明保护层上,并且覆盖所述透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至所述透明电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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