[发明专利]框架一体型掩模的制造方法在审
| 申请号： | 201910170860.2 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110241382A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李炳一 | 申请（专利权）人： | TGO科技株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种框架一体型掩模的制造方法。本发明涉及框架一体型掩模的制造方法，该框架一体型掩模由至少一个掩模(100)与用于支撑掩模(100)的框架(200)形成为一体，其包括以下步骤：(a)提供具有至少一个掩模单元区域(CR)的框架(200)；(b)使掩模(100)与框架(200)的掩模单元区域(CR)对应；(c)将包括框架(200)的工艺区域的温度提升至第一温度(ET)；(d)将掩模(100)的边缘的至少一部分粘合到框架(200)；以及(e)将包括框架(200)的工艺区域的温度降低至第二温度(LT)。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模 一体型 工艺区域 掩模单元 制造 温度降低 温度提升 粘合 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由至少一个掩模与用于支撑掩模的框架形成为一体，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供具有至少一个掩模单元区域的框架；(b)使掩模与框架的掩模单元区域对应；(c)将包括框架的工艺区域的温度提升至第一温度；(d)将掩模的边缘的至少一部分粘合到框架；以及(e)将包括框架的工艺区域的温度降低至第二温度。
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