[发明专利]一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法有效
| 申请号： | 201910172291.5 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109782537B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 聂建华;王俊;李吉昌;李金盛;江常胜;余明君 | 申请（专利权）人： | 中山职业技术学院 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/004;B33Y70/10;C08F218/08;C08F222/14;C08F220/18;C08F220/28;C08F220/20;C08F220/32 |
| 代理公司： | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人： | 谢自成;毛海娟 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，采用稀土物质、硅源、可溶性镁盐、可溶性铝盐等，通过高温水热反应制得改性硅酸镁铝；然后将其参与丙烯酸酯单体、交联单体的聚合反应，制得改性丙烯酸树脂低聚物；再利用改性硅酸镁铝制备改性硫醇溶液；最后将改性丙烯酸树脂低聚物、改性硫醇溶液、光引发剂及其它助剂混合分散均匀，即可。本发明制得的光刻胶属于非化学放大类，其在193nm深紫外光源下迅速聚合，感光性能强，灵敏度好，分辨率达到0.09～0.11μm，光刻综合性能达到国际最先进水平，应用前景极为光明。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 半导体 打印 式负性 光刻 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，其特征在于通过以下质量份组分混合并充分搅拌与研磨制成：![]()
所述的改性丙烯酸树脂低聚物溶液和改性硫醇溶液，均在季铵盐有机改性硅酸镁铝的参与下制得。
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