[发明专利]一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶

摘要

本发明公开了一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其通过以下方法制备：采用稀土物质、钛源、可溶性镁盐、可溶性锂盐、甲基丙烯酸酯单体等为原料，通过高温水热反应制得钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体；然后将其参通过自由基聚合反应，合成制得以钛酸镁锂胶体粒子为“锚点”的高度支化的改性丙烯酸树脂；之后将改性丙烯酸树脂、产酸剂、助剂等充分分散均质，即制得流动性好、聚合度高、抗蚀刻性能优异的光刻胶成品。该光刻胶属于化学放大类，其在193nm深紫外光源下感光性能强，灵敏度好，分辨率达到0.09～0.11μm，光刻综合性能达到国际最先进水平，应用前景极为广阔。

主权项

1.一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于通过以下质量份组分混合并充分搅拌与研磨制成：改性甲基丙烯酸树脂溶液         100份产酸剂                         0.5～5份助剂                           1～5份；所述的改性甲基丙烯酸树脂溶液由以下质量份组分制成：醇                             200份钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体   30～70份聚合引发剂                     1.1～5.5份，制备方法为：将100份醇、30～70份钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体、0.1～0.5份聚合引发剂加到反应釜中，再升温至70～90℃；然后将100份醇和1～5份聚合引发剂混合均匀，再缓慢滴入反应釜中，控制滴加时间至少30min；加料完毕继续保温反应1～4h，然后停止反应并冷却至室温出料，即制得改性甲基丙烯酸树脂溶液。