[发明专利]一种无色莫桑石的制备方法有效
| 申请号： | 201910173192.9 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109911899B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 211500 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无色莫桑石的制备方法，包括：将高纯半绝缘碳化硅晶片放入坩埚，装炉并设置生长参数，通过加热所述坩埚，所述高纯半绝缘晶片升华而在坩埚顶部进行再结晶，冷却出炉得到无色莫桑石。其中所述生长参数为：温度在2000~2300℃，压力在1~700 Torr。成功解决了原料氮含量掺杂、莫桑石颜色灰黄、不合格碳化硅晶片再利用的问题。提高了碳化硅不合格晶片利用率，并获得无色莫桑石。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无色 莫桑石 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无色莫桑石的制备方法，其特征在于，所述方法包括：采用高纯半绝缘碳化硅晶片作为原料制备莫桑石，具体为：将高纯半绝缘碳化硅晶片放入坩埚，装炉并设置生长参数，通过加热所述坩埚，所述高纯半绝缘晶片升华而在坩埚顶部进行再结晶，冷却出炉得到无色莫桑石。
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