[发明专利]用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统及试验方法有效

专利信息
申请号: 201910174586.6 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN109765475B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 张兴武;易明军;王兴龙;陈苗 申请(专利权)人: 重庆平伟实业股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 尹丽云
地址: 405200*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供了用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统和方法,该试验系统和试验方法中,将保险管设置在试验箱外,可以利用普通的保险管替换专用保险管,有利于降低试验成本,且减少了保险管占用的试验箱内的试验空间,从而有利于在试验箱内提供更多试验工位,提高批量试验效率。
搜索关键词: 用于 半导体器件 高温 高湿反偏 试验 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统,其特征在于:包括:试验箱,所述试验箱内的温度和湿度可调;老化试验板,所述老化试验板设置在所述试验箱内,所述老化试验板上设置有若干试验工位,一个所述试验工位上对应安装一个待测半导体器件;电源模块,所述电源模块用于试验时对安装在所述试验工位上的所述待测半导体器件施加电压;保险管,所述电源模块和每个所述待测半导体器件之间均串联有所述保险管;其中,所述保险管设置在所述试验箱外。
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