[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201910177211.5 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN110265320B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;唐峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于提供能够抑制向基板循环供给的处理液的浓度降低的基板处理装置及基板处理方法。本发明的解决手段为:根据由配置于显影槽(21)的底面(2B)上的第1浓度计(M1)测得的显影液的浓度,利用分隔板移动机构(12)而使分隔板(11)沿搬送方向移动,由此,对从沿水平方向搬送的基板(S)的上表面流下的显影液(DL)的回收范围进行变更。结果,能够抑制在向显影喷嘴(22)循环供给的显影液中混入在水洗槽(31)中被供给至基板(S)的纯水。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.基板处理装置,其具备:搬送部,所述搬送部在水平地支承基板的同时将所述基板沿水平方向搬送;第1供给部,所述第1供给部向由搬送部搬送的基板供给第1处理液;第1回收部,所述第1回收部对由第1供给部供给并从基板流下的第1处理液进行回收;循环供给部,所述循环供给部将由第1回收部回收的第1处理液向第1供给部循环供给;除去部,所述除去部将附着于由第1供给部供给第1处理液并由搬送部搬送的基板上的第1处理液除去;第2供给部,所述第2供给部在比除去部更靠搬送部的搬送方向的下游侧,供给与第1处理液种类不同的第2处理液;第2回收部,所述第2回收部对由第2供给部供给并从基板流下的第2处理液进行回收;第1浓度测定部,所述第1浓度测定部对第1回收部至循环供给部中的第1处理液的浓度进行测定;和回收范围变更部,所述回收范围变更部根据由第1浓度测定部得到的测定结果,对利用第1回收部进行的、所述搬送方向上的回收范围进行变更。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造