[发明专利]存储器装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201910179772.9 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111276480B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 丁振伦;吕增富;王维志 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其形成方法，存储器装置包含基材、第一栅极结构、以及第一氧化物层。基材具有第一凸出部以及与第一凸出部相邻的第二凸出部。第一栅极结构位于基材上以及第一凸出部与第二凸出部之间。第一氧化物层设置于基材与第一栅极结构之间，第一氧化物层还包含第一部分及第二部分，其中第一部分位于第一栅极结构与第一凸出部之间，第二部分位于第一栅极结构与第二凸出部之间，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度。凹槽阵列中的栅极引发漏极漏电流(gate induced drain leakage,GIDL)可通过较厚的第一氧化物层的第一部分及第二氧化物层的第一部分而被抑制。因此，可增进动态随机存取存储器装置的保留时间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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