[发明专利]晶体管及其形成方法、存储器有效
| 申请号： | 201910180494.9 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109935636B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 孙超;许文山;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管及其形成方法以及一种存储器，所述晶体管包括：衬底，所述衬底内形成有有源区和包围所述有源区的隔离区；所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；栅介质层，位于所述沟道区表面；电极层，包括位于所述隔离区表面的栅极延伸部、以及覆盖所述栅介质层表面且与所述栅极延伸部连接的栅极部，所述栅极延伸部围绕所述有源区设置。所述晶体管体效应的窄沟道效应得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内形成有有源区和包围所述有源区的隔离区；所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；栅介质层，位于所述沟道区表面；电极层，包括位于所述隔离区表面的栅极延伸部、以及覆盖所述栅介质层表面且与所述栅极延伸部连接的栅极部，所述栅极延伸部围绕所述有源区设置。
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