[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910185910.4 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109873067A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 石峰;王洪占;王涛 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/38;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王文红 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，其中，该芯片包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述N型电极层下方的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层。本申请实施例提高了反极性发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 粗化层 欧姆接触层 永久衬 发光二极管芯片 镜面反射层 制备 发光二极管 发光效率 反极性 键合层 接触层 接触处 源层 申请 芯片 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述N型电极层下方的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层。
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