[发明专利]半导体结构及其制作工艺在审
| 申请号： | 201910187678.8 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111697072A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李志成;陈威任;李凯霖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，其中该半导体结构包含至少一堆叠的鳍状结构、一栅极以及一源/漏极。至少一此堆叠的鳍状结构位于一基底上，其中堆叠的鳍状结构包含一第一鳍状层以及一第二鳍状层，且一鳍状介电层夹置于第一鳍状层以及第二鳍状层之间。栅极跨设堆叠的鳍状结构。源/漏极直接设置于基底上以及全部的堆叠的鳍状结构侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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