[发明专利]多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本发明提供多层有机‑无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法，方法包括：步骤1.将ITO导电玻璃清洗后烘干作为阳极基底；步骤2.在阳极基底上滴加PEDOT:PSS溶液，旋涂，然后退火，得到空穴传输层；步骤3.制备甲胺溴铅前驱体溶液；步骤4.将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，退火，得到第一钙钛矿层；增加转速，在第一层顶部旋涂，退火，得到第二钙钛矿层；依次增加转速，逐层进行旋涂和退火处理，获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层；步骤5.在高真空下，于钙钛矿发光层的上方蒸镀TPBI，得到电子传输层；步骤6.在高真空下，于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层；步骤7.于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。

主权项

1.多层有机‑无机杂化钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.将ITO导电玻璃清洗烘干后作为阳极基底；步骤2.制备空穴传输层在阳极基底上滴加PEDOT:PSS溶液，进行旋涂，然后进行退火处理，得到空穴传输层；步骤3.配置前驱体溶液通过PbBr₂与CH₃NH₃Br制备CH₃NH₃PbBr₃前驱体溶液；步骤4.制备钙钛矿发光层将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，然后进行退火处理，得到第一钙钛矿层；增加转速，在第一钙钛矿层的顶部旋涂，然后进行退火处理，得到第二钙钛矿层；按照该方式，依次增加转速，逐层进行旋涂和退火处理，获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层；步骤5.制备电子传输层在高真空下，于钙钛矿发光层的上方蒸镀TPBI，得到电子传输层；步骤6.制备电子注入层在高真空下，于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层；步骤7.制备阴极于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。