[发明专利]氧化物绝缘体膜形成用涂布液有效
| 申请号： | 201910189165.0 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110289204B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曾根雄司;植田尚之;安藤友一;中村有希;安部由希子;松本真二;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 绝缘体 形成 用涂布液 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物绝缘体膜形成用涂布液，其含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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