[发明专利]垂直存储器装置和制造垂直存储器装置的方法在审
| 申请号： | 201910192768.6 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110364534A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 千志成;白石千 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11529;H01L27/11582;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种垂直存储器装置和一种制造垂直存储器装置的方法。垂直存储器装置包括：栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向延伸并且穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及第一绝缘夹层，覆盖在基底的外围电路区域上的栅极结构，第一绝缘夹层的在竖直方向上与栅极结构叠置的部分的上表面的在一个方向上的竖直剖面具有多边形的部分的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 垂直存储器 栅电极 外围电路区域 单元区域 栅极结构 竖直 绝缘夹层 上表面 方向延伸 竖直剖面 叠置 堆叠 沟道 分隔 制造 穿过 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向延伸并且穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及第一绝缘夹层，覆盖在基底的外围电路区域上的栅极结构，第一绝缘夹层的在竖直方向上与栅极结构叠置的部分的上表面的在一个方向上的竖直剖面具有多边形的部分的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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