[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置有效
| 申请号： | 201910192964.3 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110010078B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 冯雪欢;李永谦 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3266 | 分类号： | G09G3/3266;G09G3/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。移位寄存器单元包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容。第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比。衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度。第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 移位寄存器 单元 栅极 驱动 电路 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种移位寄存器单元，包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容，其中，第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比，其中，所述衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度，第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。
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