[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910193855.3 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110010689B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 金锡勋;具本荣;金男奎;宋宇彬;李炳赞;郑秀珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有带有第一突起的第一半导体鳍部和带有第二突起的第二半导体鳍部，所述第一半导体鳍部邻近所述第二半导体鳍部，所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部沿着第一方向延伸；栅电极，其沿着第二方向延伸，并且布置在所述第一半导体鳍部的第一突起上方和所述第二半导体鳍部的第二突起上方；第一源极/漏极，其邻近所述第一突起并且从所述第一半导体鳍部延伸出，所述第一源极/漏极的上倾斜表面和所述第一源极/漏极的下倾斜表面在所述第一源极/漏极的第一拐角处相遇；第二源极/漏极，其邻近所述第二突起并且从所述第二半导体鳍部延伸出，所述第二源极/漏极的上倾斜表面和所述第二源极/漏极的下倾斜表面在所述第二源极/漏极的第二拐角处相遇；半导体桥，其在所述第一源极/漏极的第一拐角与所述第二源极/漏极的第二拐角之间延伸并接触所述第一源极/漏极的第一拐角和所述第二源极/漏极的第二拐角；层间介电层，其设置在所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极周围；间隙，其位于所述半导体桥下方的位置处；以及导电接触部分，其延伸穿过所述层间介电层，所述导电接触部分包括在所述半导体桥的顶表面处与所述半导体桥接触的硅化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910193855.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双栅负电容场效应晶体管及制备方法
- 下一篇：NLDMOS的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
