[发明专利]柔性光电探测器和柔性光电探测器制备方法在审
申请号: | 201910195371.2 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN109950400A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 罗成志 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/00;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种柔性光电探测器和柔性光电探测器制备方法,该柔性光电探测器包括聚二甲基硅氧烷薄膜、单壁碳纳米管薄膜、金电极,所述单壁碳纳米管薄膜设置于所述聚二甲基硅氧烷薄膜上,所述单壁碳纳米管薄膜包括至少一层褶皱结构,所述金电极设置在单壁碳纳米管薄膜形成褶皱的受力方向上的两端;在单壁碳纳米管薄膜折叠和拉伸过程中,单壁碳纳米管薄膜的褶皱结构会降低形变,缓解了现有柔性光电探测器存在单壁碳纳米管薄膜产生形变的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 单壁碳纳米管 光电探测器 薄膜 聚二甲基硅氧烷薄膜 褶皱结构 金电极 形变 制备 褶皱 薄膜形成 拉伸过程 折叠 受力 缓解 | ||
【主权项】:
1.一种柔性光电探测器,其特征在于,包括:聚二甲基硅氧烷薄膜;单壁碳纳米管薄膜,设置于所述聚二甲基硅氧烷薄膜上,所述单壁碳纳米管薄膜包括至少一层褶皱结构;金电极,设置在单壁碳纳米管薄膜形成褶皱的受力方向上的两端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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