[发明专利]CNTs/金属纳米线复合导电膜及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201910195563.3 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN109949973B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张久杰;罗志忠;朱娜娜;高建;丁德宝 | 申请（专利权）人： | 广州国显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 511300 广东省广州市增城区永*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及的一种CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，包括：在衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管远离所述衬底的一端开设开口；将金属纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中，形成填充有金属纳米颗粒的碳纳米管阵列，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。本发明实施例通过纳米银颗粒填充至碳纳米管内，形成一个宏观的银纳米线，从而解决了由于银纳米线表面光滑形成的雾度问题。 | ||
| 搜索关键词： | cnts 金属 纳米 复合 导电 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种CNTs/金属纳米线复合导电膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管远离所述衬底的一端开设开口；将金属纳米颗粒填入已开口的碳纳米管中，形成填充有金属纳米颗粒的碳纳米管阵列，制备得到CNTs/金属纳米线复合导电膜。
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