[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910196119.3 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697051A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上具有伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的衬底内形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口之间的衬底形成沟道区；在伪栅极结构和沟道区的侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在第一开口底部表面形成第一外延层，在第二开口底部表面形成第二外延层；形成第一外延层和第二外延层后，去除第一侧墙，在伪栅极结构和第一外延层之间形成第三开口，在伪栅极结构和第二外延层之间形成第四开口；在第一外延层上和第三开口内形成第三外延层，第三外延层离子浓度小于第一外延层离子浓度；在第二外延层上和第四开口内形成第四外延层，第四外延层离子浓度小于第二外延层离子浓度。形成的结构提升了性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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