[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910202344.3 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110364535A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张刚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路区，位于第一基底上，并且包括至少一个电路器件；存储器单元区，位于第一基底上的第二基底上，并且包括存储器单元；以及通过布线区，包括穿过存储器单元并且位于第二基底上的导电区，以及穿过导电区和第二基底并且被构造成使存储器单元区电连接到所述至少一个电路器件的通过接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 半导体装置 存储器单元区 存储器单元 电路器件 导电区 穿过 外围电路区 接触插塞 布线区 电连接 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路区，位于第一基底上，并且包括至少一个电路器件；存储器单元区，位于所述第一基底上的第二基底上，并且包括存储器单元；以及通过布线区，包括穿过所述存储器单元并且位于所述第二基底上的导电区，以及穿过所述导电区和所述第二基底并且被构造成使所述存储器单元区电连接到所述至少一个电路器件的通过接触插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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