[发明专利]多重栅极功率MOSFET元件有效
| 申请号： | 201910203692.2 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN110896104B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 汤铭;焦世平 | 申请（专利权）人： | 力芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种多重栅极功率MOSFET(功率金属氧化物半导体场效晶体管)元件，该多重栅极功率MOSFET元件设置于一基底上。该多重栅极功率MOSFET元件包括一第一晶体管单元、一第二晶体管单元及一第一绝缘体。该第一晶体管单元具有一第一漏极柱、一第一源极柱及一第一栅极导体，该第一栅极导体设置于该第一漏极柱与该第一源极柱之间。该第二晶体管单元具有一第二漏极柱、一第二源极柱及一第二栅极导体，该第二栅极导体设置于该第二漏极柱及该第二源极柱之间。该第一绝缘体设置于该基底的上方及该第一栅极导体与该第二栅极导体之间。该第一绝缘体将该第二晶体管单元与该第一晶体管单元电绝缘。于操作期间，该第一晶体管单元及该第二晶体管单元共用一共源极及一共漏极，该第一栅极导体及该第二栅极导体的导电状态被分开控制。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 栅极 功率 mosfet 元件 | ||
【主权项】：
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