[发明专利]弹性波装置

摘要

本发明在抑制IDT电极的耐功率性的下降的同时降低成为瑞利波的杂散的西沙瓦波的强度。IDT电极(3)形成在压电体基板(2)上。第一氧化硅膜(4)形成在压电体基板(2)上，使得覆盖IDT电极(3)。高声速电介质膜(5)形成在第一氧化硅膜(4)上，使得覆盖第一氧化硅膜(4)。第二氧化硅膜(6)形成在高声速电介质膜(5)上。压电体基板(2)的材料为铌酸锂。在高声速电介质膜(5)中，传播的纵波声速与在第一氧化硅膜(4)传播的纵波声速相比为高速。高声速电介质膜(5)形成于在压电体基板(2)的厚度方向(D1)上距第一主面(21)的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。

主权项

1.一种弹性波装置，作为主模而利用瑞利波，具备：压电体基板，具有主面；IDT电极，形成在所述压电体基板的所述主面上；第一氧化硅膜，形成在所述压电体基板上，使得覆盖所述IDT电极；高声速电介质膜，形成在所述第一氧化硅膜上或所述压电体基板上，使得覆盖所述第一氧化硅膜，传播的纵波声速与在所述第一氧化硅膜传播的纵波声速相比为高速；以及第二氧化硅膜，形成在所述高声速电介质膜上，所述压电体基板的材料为铌酸锂，所述高声速电介质膜与所述IDT电极分离，且在将所述第一氧化硅膜的厚度设为t1并将所述第二氧化硅膜的厚度设为t2的情况下，所述高声速电介质膜形成于在所述压电体基板的厚度方向上距所述主面的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。