[发明专利]用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法在审
| 申请号： | 201910210566.X | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110729227A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 孙沂周;金圣协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了用于结合基底的真空吸盘和设备以及结合基底的方法。所述用于结合基底的真空吸盘包括：吸盘板，包括真空孔以保持基底；隔板，布置在吸盘板中，隔板将吸盘板划分为多个区域；以及温度控制构件，位于多个区域中的每个区域中，温度控制构件独立地控制每个区域中的温度，以使基底的与每个区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。 | ||
| 搜索关键词： | 结合基 吸盘板 隔板 温度控制构件 真空吸盘 基底 区域接触 真空孔 收缩 膨胀 | ||
【主权项】：
1.一种用于结合基底的真空吸盘，所述真空吸盘包括：/n吸盘板，包括真空孔以保持基底；/n隔板，布置在吸盘板中，隔板将吸盘板划分为多个区域；以及/n温度控制构件，位于所述多个区域中的每个区域中，温度控制构件独立地控制每个区域中的温度，以使基底的与每个区域接触的部分选择性地膨胀或收缩。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
