[发明专利]读取非易失性存储器的方法和存储设备有效
| 申请号： | 201910211592.4 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110085275B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 金广勋;孔骏镇;薛昶圭;孙弘乐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储系统及其读取方法，所述存储系统包括：比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值，所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 非易失性存储器 方法 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种读取非易失性存储器的方法，所述非易失性存储设备包括具有三维结构的多个存储单元，该方法包括：使用多个读取电压来读取所选择的存储单元；在多个读取数据单元的两个读取数据单元之间执行XOR运算，所述多个读取数据单元中的每个对应于所述多个读取电压；以及基于XOR运算的结果来确定所选择的存储单元的最佳读取电压。
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