[发明专利]一种SiC晶锭的激光加工设备在审
| 申请号： | 201910213922.3 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109909627A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈畅;柳啸;李春昊;杨深明;李福海;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/40 | 分类号： | B23K26/40;B23K26/064;B23K26/082 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC晶锭的激光加工设备，该设备包括激光隐切装置、激光解裂片装置和传送装置，激光隐切装置发射的第一激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部，在待加工SiC晶锭内部形成切割改制区域，传送装置用于将待加工SiC晶锭传送至激光解裂片装置的目标加工区域，目标加工区域与待加工SiC晶锭内部的切割改制区域重合，激光解裂片装置发射的第二激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部的切割改制区域进行激光热加工，从待加工SiC晶锭中分离得到SiC片。本发明提供的SiC晶锭的激光加工设备，可以解决现有技术中SiC晶锭的切片效率低，材料损耗大、加工成本高的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶锭 激光 加工 激光加工设备 裂片装置 切割 传送装置 激光光束 加工区域 切装置 改制 聚焦 激光热加工 材料损耗 切片效率 区域重合 发射 传送 | ||
【主权项】：
1.一种SiC晶锭的激光加工设备，其特征在于，所述激光加工设备包括激光隐切装置(1)、激光解裂片装置(2)和传送装置(3)；所述激光隐切装置(1)发射的第一激光光束聚焦到待加工SiC晶锭(4)内部，在所述待加工SiC晶锭(4)内部形成切割改制区域；所述传送装置(3)用于将所述待加工SiC晶锭(4)传送至所述激光解裂片装置(2)的目标加工区域，所述目标加工区域与所述待加工SiC晶锭(4)内部的切割改制区域重合；所述激光解裂片装置(2)发射的第二激光光束聚焦到所述待加工SiC晶锭(4)内部的切割改制区域进行激光热加工，从所述待加工SiC晶锭(4)中分离得到SiC片。
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