[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201910214024.X | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110323272B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 椿明彦;出口香奈子 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够避免串联连接于基极电极的电阻元件遭受静电破坏的半导体元件。半导体元件(A10)具备：集电极层(11)，是第1导电型半导体；基极层(12)，是第2导电型半导体，且与集电极层(11)相接；发射极层(13)，是所述第1导电型半导体，且与基极层(12)相接；第1电极(31)，与基极层(12)导通；第1电阻元件(41)，在第1电极(31)与基极层(12)的导电路径上，串联连接于第1电极(31)；第2电极(32)，与基极层(12)及第1电阻元件(41)两者导通；及保护元件(50)，相对于第1电阻元件(41)并联连接于第1电极(31)；保护元件(50)包含以导电路径上的两端都成为同一极性的方式通过pn接合构成的一对二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于具备：集电极层，是第1导电型半导体；基极层，是第2导电型半导体，且与所述集电极层相接；发射极层，是所述第1导电型半导体，且与所述基极层相接；第1电极，与所述基极层导通；第1电阻元件，在所述第1电极与所述基极层的导电路径上，串联连接于所述第1电极；第2电极，与所述发射极层及所述第1电阻元件两者导通；及保护元件，相对于所述第1电阻元件并联连接于所述第1电极；所述保护元件包含以导电路径上的两端都成为同一极性的方式通过pn接合构成的一对二极管。
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