[发明专利]扇出型LED的封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201910215007.8 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN109742223A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L25/075
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种扇出型LED的封装结构及封装方法,封装结构包括:重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;LED芯片,结合于重新布线层的第二面,所述LED芯片的电极与所述重新布线层连接;透明封装层,至少包覆所述LED芯片的侧面;金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面,以通过所述重新布线层实现所述LED芯片的电性引出。本发明通过在封装后的LED芯片上制作重新布线层以及金属凸块,实现LED芯片的扇出封装,本发明的封装结构和封装方法可以满足Micro LED超高分辨率封装需求,实现小线宽封装以及满足系统式的LED封装。
搜索关键词: 重新布线层 封装 封装结构 金属凸块 第二面 扇出型 超高分辨率 透明封装层 电极 包覆 电性 扇出 小线 侧面 制作
【主权项】:
1.一种扇出型LED的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;LED芯片,结合于重新布线层的第二面,所述LED芯片的电极与所述重新布线层连接;透明封装层,至少包覆所述LED芯片的侧面;金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面,以通过所述重新布线层实现所述LED芯片的电性引出。
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