[发明专利]一种发射机控制保护系统

摘要

本发明公开了一种发射机控制保护系统，包括温度检测和控制单元，电流检测和控制单元，逻辑门，高压驱动器，脉宽调制控制器，VEE欠压保护器，高功率电阻，PMOSFET开关管，功率放大器，电源管理单元，功放栅极驱动单元；本发明提供了一种多功能的发射机驱动控制和健康保护方案，实现每个组件通道的同时检测，能有效的为雷达发射机系统提供保护。相对于传统的发射机控制保护方案更灵活，集成度更高，能够满足不同的发射机控制保护需求。

主权项

1.一种发射机控制保护系统，其特征在于，包括温度检测和控制单元(100)，电流检测和控制单元(101)，逻辑门(102)，高压驱动器(103)，脉宽调制控制器(104)，VEE欠压保护器(105)，高功率电阻R(106)，PMOSFET开关管(107)，功率放大器(108)，电源管理单元(109)，功放栅极驱动单元(110)；温度检测和控制单元(100)的输出端与逻辑门(102)输入端相连；电流检测和控制单元(101)的输入端与高功率电阻R(106)的一端相连；电流检测和控制单元(101)的输出端与逻辑门(102)输入端相连；逻辑门(102)的输入端与脉宽调制控制器(104)的输出端相连；逻辑门(102)的输入端同时与VEE欠压保护器(105)的输出端相连；逻辑门(102)的输出端与高压驱动器(103)的输入端相连；高压驱动器(103)的输出端与PMOSFET开关管(107)的栅极相连；高压驱动器(103)的输出端同时与PMOSFET开关管(107)的漏极相连；脉宽调制控制器(104)的输入端与TTL输入信号端相连；高功率电阻R(106)的一端与电源VCC相连；高功率电阻R(106)的另一端与PMOSFET开关管(107)的源极相连；PMOSFET开关管(107)的漏极与功率放大器(108)的输入端相连；功率放大器(108)的另一端接地；电源管理单元(109)跟需要供电的单元相连；功放栅极驱动单元(110)的输出端与功率放大器(108)的输入端相连；温度检测和控制单元(100)利用片上或者片外温度传感器，将温度信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过温控制信号；电流检测和控制单元(101)利用片外高功率电阻R(106)，将电压信号电平移位放大后，再经模数转换存于寄存器中，同时比较器输出过流控制信号；逻辑门(102)对过温、过流、脉宽调制信号、VEE欠压控制信号进行处理，控制高压驱动器(103)的输出，其输出控制PMOSFET开关管(107)的栅极；当关闭PMOSFET开关管(107)时，功率放大器(108)无供电；脉宽调制控制器(104)用于对输入TTL信号进行脉宽和占空比检测；VEE欠压保护器(105)检测VEE信号，当VEE信号过低时关闭高压驱动器(103)的信号；电源管理单元(109)给温度检测和控制单元(100)、电流检测和控制单元(101)、逻辑门(102)、高压驱动器(103)以及脉宽调制控制器(104)供电；功放栅极驱动单元(110)产生的基准电压经过预放大和驱动后给功率放大器(108)提供直流偏置。