[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910218512.8 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111725313A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底及凸出于所述衬底的鳍部；栅极，横跨所述鳍部，所述栅极两侧露出部分所述鳍部顶部；第一侧墙，位于所述栅极侧壁上，所述第一侧墙覆盖所述栅极露出的所述鳍部顶部；第一源漏掺杂区，位于所述衬底上，所述第一源漏掺杂区内掺有第一掺杂离子，所述第一源漏掺杂区侧壁与所述鳍部侧壁间具有凹槽；第二源漏掺杂区，覆盖所述凹槽底部，所述第二源漏掺杂区内掺有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的浓度小于所述第一掺杂离子浓度。本发明能够有效抑制半导体结构的漏电流，改善半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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