[发明专利]一种半导体器件测试装置及系统在审
申请号: | 201910218627.7 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN109839581A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 王举贵;林敏之 | 申请(专利权)人: | 王举贵;林敏之 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 200433 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种半导体器件测试装置及系统。该半导体器件测试装置包括双脉冲合成单元、驱动单元、第一电阻和第二电阻;双脉冲合成单元的第一端与信号发生器连接,双脉冲合成单元的第二端与驱动单元的第一端连接;驱动单元的第二端与被测半导体器件的栅极连接;第一电阻的第一端与第一电源连接,第一电阻的第二端与被测半导体器件的漏极连接;第二电阻的第一端与被测半导体器件的源极连接;第二电阻的第二端接地;第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及被测半导体器件的栅极分别与示波器连接。本发明实施例提供的半导体器件测试装置,可以实现减小体积,降低成本,降低干扰和提高测试精度的效果。 | ||
搜索关键词: | 电阻 第一端 半导体器件测试装置 半导体器件 合成单元 驱动单元 双脉冲 信号发生器 电源连接 降低干扰 源极连接 栅极连接 端接地 示波器 减小 漏极 测试 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件测试装置,其特征在于,包括:双脉冲合成单元、驱动单元、第一电阻和第二电阻;所述双脉冲合成单元的第一端与信号发生器连接,所述双脉冲合成单元的第二端与所述驱动单元的第一端连接;所述驱动单元的第二端与被测半导体器件的栅极连接;所述第一电阻的第一端与第一电源连接,所述第一电阻的第二端与所述被测半导体器件的漏极连接;所述第二电阻的第一端与所述被测半导体器件的源极连接;所述第二电阻的第二端接地;所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及所述被测半导体器件的栅极分别与示波器连接。
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