[发明专利]一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构在审
| 申请号： | 201910219950.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109977531A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;张丽;岳金明;陈力颖 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于数字集成电路标准单元的版图结构，包括电源线和地线，输入端和输出端，以及由多条分立的纳米线构成的导电沟道。其功能电路包括至少一个P沟道晶体管和至少一个N沟道晶体管。所述电源线通过接触孔连接P沟道晶体管的源极，并向所述P沟道晶体管供电。所述地线通过接触孔连接N沟道晶体管的源极，并向所述N沟道晶体管提供地电压。输入端由栅极形成，通过接触孔连接第一层金属，输出端由P沟道和N沟道晶体管的漏极形成，通过接触孔连接第一层金属。其中输入端和输出端构成了所述功能电路的输入端和输出端。功能电路的晶体管的导电沟道位于栅极下方的有源区上，其形状为多条分立的纳米线。所述的功能电路的P沟道晶体管不含扩散层，N沟道晶体管中含有一N型扩散层。 | ||
| 搜索关键词： | 功能电路 接触孔 输出端 输入端 数字集成电路 版图结构 标准单元 导电沟道 第一层 电源线 纳米线 地线 分立 源极 金属 栅极形成 地电压 晶体管 扩散层 漏极 源区 供电 输出 | ||
【主权项】：
1.一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，包括电源线和地线，以及由第一层金属层形成的输入端和输出端。其功能电路进一步包括至少一个P沟道晶体管和至少一个N沟道晶体管。其中P沟道晶体管包含有源区和有源区上方的栅极，栅极两侧的有源区为P沟道晶体管的源极和漏极。N沟道晶体管包含N型扩散区，有源区和有源区上方的栅极，栅极两侧的有源区为N沟道晶体管的源极和漏极。
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