[发明专利]钨膜的成膜方法及控制装置有效
申请号: | 201910220826.1 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN110359027B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 成岛健索;平松永泰;松本淳志;堀田隼史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;C23C16/455;H01L21/768 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法,所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出,所述钨膜的成膜方法具备如下工序:在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜,以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序;和,供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体,在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。 | ||
搜索关键词: | 方法 控制 装置 | ||
【主权项】:
1.一种钨膜的成膜方法,其是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法,所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出,所述钨膜的成膜方法具备如下工序:在所述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜,以使其在所述基底的露出面上比在所述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序;和,供给氯化钨气体及对所述氯化钨气体进行还原的还原气体,在所述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的