[发明专利]钨膜的成膜方法及控制装置有效

专利信息
申请号: 201910220826.1 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN110359027B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 成岛健索;平松永泰;松本淳志;堀田隼史 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/14 分类号: C23C16/14;C23C16/455;H01L21/768
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法,所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出,所述钨膜的成膜方法具备如下工序:在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜,以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序;和,供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体,在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
搜索关键词: 方法 控制 装置
【主权项】:
1.一种钨膜的成膜方法,其是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法,所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出,所述钨膜的成膜方法具备如下工序:在所述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜,以使其在所述基底的露出面上比在所述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序;和,供给氯化钨气体及对所述氯化钨气体进行还原的还原气体,在所述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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