[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910221859.8 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110943067A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 田岛尚之;下川一生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘层；导电部件，设于所述绝缘层内；芯片，配置于所述绝缘层的第一面上，并连接于所述导电部件；以及电极，经由电阻率比所述导电部件的电阻率高的阻挡层连接于所述导电部件，且至少一部分从所述绝缘层的第二面突出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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