[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

摘要

本申请涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法，该薄膜晶体管基板包括：基底；栅极，形成于基底上；绝缘层，覆盖栅极；有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层形成于绝缘层上，第二氧化物半导体层叠设于第一氧化物半导体层上，第一氧化物半导体层的含氧量高于第二氧化物半导体层的含氧量；以及源极和漏极，形成于第二氧化物半导体层上。在本申请中，有源层包括含氧量相对较高的第一氧化物半导体层和含氧量相对较低的第二氧化物半导体层，可以同时提高沟道区的电子传输能力和降低有源层与绝缘层之间的界面态密度。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基底；栅极，形成于所述基底上；绝缘层，覆盖所述栅极；有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层形成于所述绝缘层上，所述第二氧化物半导体层叠设于所述第一氧化物半导体层上，所述第一氧化物半导体层的含氧量高于所述第二氧化物半导体层的含氧量；以及源极和漏极，形成于所述第二氧化物半导体层上并与所述第二氧化物半导体层连接。