[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910225554.4 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110600550A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李炳训;金完敦;朴钟昊;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底上的多沟道有源图案；在多沟道有源图案上沿多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中高介电常数绝缘层包含金属；在高介电常数绝缘层上沿高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；以及氮化硅层上的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电常数绝缘层 源图案 沟道 半导体器件 氮化硅层 栅电极 衬底 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底上的多沟道有源图案；/n在所述多沟道有源图案上沿所述多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中，所述高介电常数绝缘层包含金属；/n在所述高介电常数绝缘层上沿所述高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；以及/n氮化硅层上的栅电极。/n
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