[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法有效
| 申请号： | 201910226229.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110379730B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 姜盛晧;金苍乭;韩星珉;金锡允;崔圣厦 | 申请（专利权）人： | 株式会社尤金科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种衬底处理设备和衬底处理方法，且更确切地说涉及一种配置成在衬底上沉积均一薄膜的衬底处理设备和衬底处理方法。根据示范性实施例的衬底处理设备包含：反应管，具有形成于其中的内部空间；衬底舟，配置成装载多个载台中的多个衬底，且定位于内部空间中以分隔成在其中分别处理多个衬底的多个处理空间；工艺气体供应部件，配置成将工艺气体供应到多个处理空间；以及稀释气体供应部件，配置成供应用于稀释多个处理空间内的工艺气体的稀释气体。本公开可提供一种可使得分别沉积于衬底舟上所装载的多个衬底上的薄膜的厚度均一的衬底处理设备和衬底处理方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理设备，包括：反应管，具有形成于其中的内部空间；衬底舟，配置成装载多个载台中的多个衬底，且定位于所述内部空间中以分隔成在其中分别处理所述多个衬底的多个处理空间；工艺气体供应部件，配置成将工艺气体供应到所述多个处理空间；以及稀释气体供应部件，配置成供应用于稀释所述多个处理空间内的所述工艺气体的稀释气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
