[发明专利]发光二极管芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201910227533.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010728B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王思博;简弘安;刘宇轩 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法，当所述侧壁具有多个所述斜面时，所述侧壁的面积越大，从而所述侧壁面出光就会越多。同时，当所述侧壁具有多个所述斜面时，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯片的亮度。多个所述斜面形成不同形貌的所述侧壁，可以使内部光线入射到所述侧壁产生不同的入射角，可以有更多的光取出，能够避免较多全反射。同时，通过所述发光二极管芯片的制备方法制备获得所述隔离槽的所述侧壁的相邻所述斜面之间的角度为正角，当后续制作的绝缘层可披覆在所述隔离槽上，进行较好的绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底(10)，所述衬底(10)上依次制备N型半导体层(210)、发光层(220)以及P型半导体层(230)；在所述P型半导体层(230)远离所述衬底(10)的表面进行刻蚀至所述N型半导体层(210)，形成N型半导体台面(50)；将所述N型半导体台面(50)远离所述衬底(10)的表面边缘进行刻蚀至所述衬底(10)，形成隔离槽(60)，所述隔离槽(60)的侧壁(610)具有多个斜面(611)，且相邻所述斜面(611)之间的角度为正角。
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