[发明专利]MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法有效
| 申请号： | 201910231063.0 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109977539B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赵梓夷;杨婷;李浩然 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，涉及集成电路设计和制造领域，通过抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数的步骤得到MOSFET器件的应力效应参数，不仅能对LOD参数进行精确抽取与计算，且同时降低设计难度，提高设计灵活性，提高开发效率。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 应力 效应 参数 抽取 计算方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，包括：S1：抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；S2：利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及S3：利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数。
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