[发明专利]等离子体处理装置和被处理体的输送方法在审

专利信息
申请号: 201910231749.X 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110323119A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 铃木贵幸;高山航;村上贵宏;深泽公博;早坂伸一郎 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置,其包括:载置台,具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面;使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构;和升降控制部,其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间,控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置,在开始输送被处理体时,控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
搜索关键词: 被处理体 载置台 载置面 等离子体处理装置 等离子体处理 反应生成物 控制升降 载置 升降控制部 升降机构 侵入的 附着 隔开 升降
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:载置台,其具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面;使所述被处理体相对于所述载置台的载置面升降的升降机构;和升降控制部,其在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间,控制所述升降机构来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置,在开始输送所述被处理体时,控制所述升降机构来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。
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